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科研人员研发出黑磷晶体管 功耗可降低上万倍

来源:自由比利时报中文网作者:滕璟更新时间:2020-09-21 07:23:41阅读:

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据报道,韩国凯思特大学物理系的研究人员开发了一种厚度可控的黑磷隧道场效应晶体管(tfet),其功耗比传统半导体(cmos)晶体管低10倍,待机功耗低10000倍。研究小组表示,他们开发的黑磷薄膜晶体管实现了创纪录的高通电流,这使得薄膜晶体管能够以比传统cmos晶体管更高的速度运行,同时功耗更低。华创证券建议注意:

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◆兴发集团(600141)是中国最大的磷酸盐资源企业。公司控股子公司中科黑磷与中国科学院首次建立了大规模制备和应用二维黑磷的联合实验室,在芯片制造、提高贵金属催化作用和靶向抗肿瘤治疗方面取得了进展。与黑磷相关的15项专利已经申报并正在申报中。

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◆郭萱高新技术有限公司(002074)拥有制备黑磷的专利。

◆诚信有限公司(600078)是中国精细磷化工行业的龙头企业。已获得采矿权或探矿权的磷矿资源储量超过1.26亿吨。

标题:科研人员研发出黑磷晶体管 功耗可降低上万倍

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